[반도체 8대 공정 #7] 이온주입 공정 - 반도체 심폐소생술: 이온으로 전자를 깨워라!

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제시된 영상은 이온 주입 공정(Ion Implantation)의 원리와 첨단 반도체 제조에서의 응용 및 한계를 설명하는 글입니다. 이온 주입은 순수 실리콘 웨이퍼에 불순물을 주입하여 P형 또는 N형 반도체를 형성하고 전기적 특성을 부여하는 핵심 도핑(Doping) 과정입니다. 공정의 정밀도는 주입 깊이를 결정하는 에너지(Energy)와 주입량을 나타내는 도즈(Dose) 등의 변수를 통해 제어되며, 기존의 확산 공정보다 정밀하지만 물리적 손상을 야기하므로 후속 어닐링(Annealing) 열처리가 필수적입니다. 마지막으로, 트랜지스터가 3D 구조로 미세화되면서 발생하는 도핑 불균일성 및 불순물 확산 문제에 대한 플라즈마 도핑 및 초고속 열처리(RTA)와 같은 극복 방안을 제시하고 있습니다.

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