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![[기초반도체공학|1.1] pn접합 : #정성적 해석 #수식없이](https://i.ytimg.com/vi/V5oWlh-dGU0/maxresdefault.jpg)
![[기초반도체공학|1.2] pn접합 : #0V일때 #내부전압](https://i.ytimg.com/vi/QTHZdOsQqkY/maxresdefault.jpg)
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![[기초반도체공학|1.5] pn접합 : #depletion capacitance](https://i.ytimg.com/vi/Kyyd5rXIYyo/maxresdefault.jpg)
![[기초반도체공학|1.6] pn접합 : #breakdown](https://i.ytimg.com/vi/KD4ldAqszg8/maxresdefault.jpg)
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![[기초반도체공학|2.5] pn다이오드 : #비이상적효과들](https://i.ytimg.com/vi/7m4iL7Tolss/maxresdefault.jpg)
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![[기초반도체공학|3.1] MS접합 : #정성적해석 #정류작용 #Schottky contact #Ohmic contact](https://i.ytimg.com/vi/qVsmpjGjhpg/maxresdefault.jpg)
![[기초반도체공학|3.2] MS접합 : #0V일때 #reverse bias #depletion capacitance](https://i.ytimg.com/vi/LeZKAvVZyUk/maxresdefault.jpg)
![[기초반도체공학|3.3] MS접합 : #forward bias #I-V #thermionic emission](https://i.ytimg.com/vi/jMH-OR3pac0/maxresdefault.jpg)
![[기초반도체공학|3.4] MS접합 : #비이상적효과 #Ohmic contact #Schottky barrier lowering effect #Fermi-level pinning](https://i.ytimg.com/vi/5CEqDFalKME/maxresdefault.jpg)
![[기초반도체공학|3.5] 이종접합 : #heterojunction](https://i.ytimg.com/vi/tXcdsULQm5I/maxresdefault.jpg)
[기초반도체공학|4.4] MOS : #동작모드 #수식유도 #accumulation #depletion #inversion #threshold voltage
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11 Jan 2026
게이트 전압에 따라 바뀌는 metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor 의 3가지 동작모드 (accumulation, depletion, inversion)에 대한 수식을 유도해봅니다.
3:30 실리콘 쪽의 페르미레벨이 수평하기 때문에 내부에 전기장이 존재하지 않는다고 설명하였는데, 정확히는 실리콘 쪽의 밴드의 휘어짐이 없기 때문에 내부에 전기장이 존재하지 않는다고 이해해야 맞습니다.
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