[SK hynix Keynote] Part.1_메모리 반도체의 미래 30년을 듣다_미래기술연구원 김진국 담당

30분만 투자하시면, SK하이닉스가 그리는 미래 메모리의 30년을 경험하실 수 있습니다.

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※ 연사 소개

▶ 성명: 김진국

▶ 소속: SK하이닉스 미래기술연구원

▶ 약력
- 1986년 현대전자 입사 후 34년간 SK하이닉스에서 64M, 256M, 2Gb, 4Gb, 8Gb D램 개발 과정 참여
- 2008년 과학의 날 국무총리 표창
- 2009년 한국산업기술진흥협회 30주년 포상 장관 표창
- 2017년 이후 SK하이닉스 미래기술연구원장 부임
- 2019년 미래기술연구원 담당(CTO) 겸
- Dual Buried Gate 기술을 이용한 20 nm급 D램 세계 최초 개발
- TSV (Through Silicon Via) 기술 기반 HBM(High Bandwidth Memory) 세계 최초 개발