[반도체 8대 공정 #13] 반도체 4대 식각 사신: HBr, Cl2, SF6, C4F8의 살생부 (Si vs SiO2 필살기 총정리) / 건식아, 등방성도 가자!

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이 영상은 반도체 공정의 핵심 단계인 건식 식각(Dry Etching)의 가스 및 전략을 실리콘(Si)과 산화막(SiO2) 두 가지 주요 소재에 집중하여 상세히 분석하고 있습니다. 이 분석은 원하는 구조에 따라 식각 방향을 비등방성(수직)과 등방성(전방향)으로 구분하고, 각각에 사용되는 주요 가스(HBr, Cl2, SF6, C4F8 등)와 작동 메커니즘을 명확히 설명합니다. 특히, Si 식각은 화학적 반응성을 활용하여 측벽 보호막을 형성하는 전략을 사용하며, SiO2 식각은 높은 결합 에너지 때문에 이온의 물리적 타격과 C/F 기반 폴리머 제어를 핵심 전략으로 사용하는 차이점을 강조합니다. 또한, 공정 제어를 위한 산소(O2)나 수소(H2)와 같은 첨가 가스의 역할까지 요약하여, 미세 패턴 구현을 위한 심도 있는 지침을 제공하고 있습니다.

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