[반도체 8대 공정 #15] High-NA EUV : 한 대 5000억? 2나노 전쟁의 판을 뒤집을 '괴물 장비', 배수의 진을 친 인텔의 무리수 인가? 기회 인

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이 영상은 차세대 2나노미터(nm) 이하 반도체 시대를 열 핵심 기술인 High-NA EUV(고개구수 극자외선 노광장비)에 대한 포괄적인 개요를 제시합니다. 이 기술은 기존 EUV 장비의 물리적 한계를 극복하기 위해 개구수(NA)를 0.55로 획기적으로 높인 것이 특징이며, 이를 통해 여러 번의 노광이 필요한 '멀티 패터닝' 대신 생산 효율성이 높은 '싱글 패터닝'을 가능하게 합니다. High-NA EUV를 구현하기 위해 자이스(Zeiss)사가 개발한 아나모픽 광학계와 초미세 공정에 필수적인 금속산화물 레지스트(MOR) 같은 혁신적인 기술적 요소들을 설명됩니다. 또한, 아나모픽 렌즈 도입으로 인해 발생하는 노광 면적 축소(하프 필드) 문제를 해결하기 위한 스티칭(Stitching) 기술의 중요성이 강조됩니다. 마지막으로, 인텔이 장비를 선제적으로 도입하는 공격적인 전략을 취하는 반면, TSMC는 비용 효율성 문제로 신중한 접근법을 보이는 등 주요 파운드리 기업들의 서로 다른 도입 전략을 분석하며 기술 선점 경쟁 구도를 조명합니다.

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