[반도체 8대 공정 #12] ArF-i MP vs EUV SP/MP - 반도체 미세공정 핵심 기술 비교 - 단일 vs 다중 패터닝 어디까지 왔나?

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이 영상은 차세대 반도체 리소그래피 기술인 ArF Immersion Multiple Patterning (ArF-i MP), EUV Single Patterning (EUV SP), EUV Multiple Patterning (EUV MP) 세 가지를 심층적으로 비교 분석합니다. 핵심 차이점은 공정 복잡도, 비용 구조, 그리고 주요 결함의 유형에 있으며, 기술 선택은 그릴 패턴의 규칙성 및 설계 자유도에 따라 달라집니다. 특히 EUV 기술로의 전환은 수율 관리의 초점을 공정 오차에서 광학적 무작위성(스토캐스틱 결함)으로 이동시켰으며, EUV SP의 고선량 사용 비용이 EUV MP의 마스크 비용 대비 경제성을 재평가하는 핵심 요소임을 강조합니다. 최종적으로 자료는 7nm 이하 초미세 공정에서 EUV SP/MP를 핵심 레이어에 적용하고 ArF-i를 혼용하는 하이브리드 전략의 트렌드를 제시합니다.

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